德国海德堡仪器 高精密无掩膜光刻机激光直写设备

μMLA

MLA150

MLA300

桌上型无掩膜光刻机
无掩模光刻系统
量产型无掩膜光刻机

THE TABLE-TOP MASKLESS ALIGNER
适合科研领域的实验室与学术单位研究所

THE ADVANCED MASKLESS ALIGNER
用于研发和小批量生产的先进激光直写系统

THE MASKLESS ALIGNER FOR VOLUME PRODUCTION
大批量生产系统

MLA无掩膜光刻机激光直写

桌上型µMLA系统拥有我们最先进的无掩膜激光直写技术,是所有需要微结构的研究单位和开发领域的完美入门工具,例如微流体学、微光学、传感器、微机电系统和材料科学等。µMLA具有前所未有的灵活性和可定制性,并且可支持使用毫米(millimeter)大小范围样品。

选择所需的曝光模式,甚至可以选配两种模式:光栅扫描光刻模块,快速曝光复杂的图型;向量光刻模块,创建光波导的平滑轮廓。此外,µMLA提供2种光学设置选择,具有不同的通量和可变分辨率范围。在您的光学设置内,软件可轻松切换三种配置,根据您的要求优化分辨率和速度。

NEW: The table-top system µMLA features our state-of-the-art maskless technology and is the perfect entry-level tool for Research & Development, in virtually all areas that require microstructures. Typical examples are Microfluidics, Micro Optics, Sensors, MEMS, and Material Science. The µMLA is flexible and customizable like no other table-top direct writing tool before and supports the use of millimeter-sized samples.

Select the exposure mode you need or even equip your µMLA with both: The Raster Scan Exposure Module provides fast exposure with a speed independent of design complexity. The Vector Module exposes continuous curves, creating smooth contours vital for applications such as waveguides. In addition, the µMLA offers a choice of 2 optical setups with different ranges of throughput and variable resolution. Within your optical setup the software allows easy switching between three configurations, optimizing resolution and speed according to your requirements.

您是否因掩模版成本高、交货期长而感到推进迟缓?您是否希望不需要对传统掩模对准器进行冗长的培训就能立即执行设计?

探索MLA 150 和数字光刻世界

这种现代化的无掩模对准器采用快速、灵活、易于使用的解决方案取代传统技术,具有最高的性能。通过使用数字微镜器件(DMD)作为动态掩模,MLA 150 克服了物理光掩模的缺点。从数字设计到完美图案化的基底只需几分钟,使您的用户能够加速量子器件、微机电系统、微光学和生命科学等领域的研究。

为什么MLA 150 是实验室的理想选择?

MLA 150从设计之初就致力于解决学术和工业研发机构面临的核心挑战,它直接解决了光掩膜前置时间长、经常性成本高以及传统系统曲线陡峭等问题。

专为多用户设施而打造

减少培训开销,并最大限度地延长工具正常运行时间。MLA 150 非常直观,新用户只需不到一个小时就能完全胜任独立工作。其操作软件和简化的工作流程非常适合共享实验室环境,这也是MLA 150 成为领先全球净房必备工具的原因所在。

先进科研及更多应用的卓越灵活性

您的工作独一无二,您的光刻设备亦当如此。无论是推进前沿研究、通过快速原型加速创新,还是进行高质量的小批量生产,MLA 150 都能适应您的需求,而不是让您适应设备。

  • 广泛兼容各类光刻胶::
    同时安装一个或两个不同的激光波长(375 nm 和/或 405 nm),无需更改硬件即可曝光所有宽带、g、h 和 i 线光刻胶。

  • 轻松应对复杂基材:
    专用真空吸盘可让您轻松处理难以处理的样品,包括小至 3×3 mm²的小基片、薄箔和翘曲硅片。

  • 创建 2.5D 高深宽比结构:
    使用灰度光刻模式可制造复杂的 2.5D 微结构,或使用高深宽比模式在厚光刻胶中形成陡直的侧壁图形,非常适用于 MEMS 和微流体应用。

  • 交互式 绘制模式:
    在样品的实时摄像图像上直接绘制和曝光图案,特别适用快速制作原型或在石墨烯薄片、纳米线等特殊结构上精确定位电极。

高产速、高精度、不妥协

用户友善并不等同低性能。MLA 150以卓越的速度和精度,突破制造的极限。

  • 亚微米级分辨率:
    实现最小0.45微米特征尺寸,轻松制备复杂高分辨率器件。

  • 卓越产能表现:
    单次曝光150毫米硅片仅需不到16分钟。

  • 先进的自动对准系統:
    250纳米级对准精度,数字化补偿偏移、旋转、缩放及剪切误差 —物理掩模无法实现的精准调整。

  • 完美对焦:
    动态自动对焦系统确保图形清晰均匀,轻松应对图案化、翘曲及脆弱基材。

  • 极致环境稳定性:
    集成温控层流环境舱(±0.1°C精密控温),有效抑制热膨胀效应,确保结果稳定可重复。

大幅降低运营成本

彻底消除光刻工艺中最大且持续的成本——掩模版。

MLA 150无需光罩采购,省去数周交期等待,同时免去清洗、存储流程,规避高额破损风险。结合10-20年超长激光寿命及简易维护,MLA 150实现行业领先的综合持有成本。

主要应用

从基础物理学到应用生物科学,MLA 150 都是值得信赖的工具:

  • 纳米加工:
    量子设备、二维材料、半导体纳米线

  • MEMS 和 MOEMS:
    传感器、致动器、微光元件、微流体

  • 材料科学:
    新型材料的图案化加工

  • 生命科學:
    芯片实验室、生物传感器

携手全球数百家顶尖科研机构

全球数百所一流大学和研究中心已选择MLA 150替代传统光刻机。
立即联系我们,了解如何为您的用户赋能,实现实验室技术升级。

MLA300是Maskless Aligner的工业级别生产系统,已成为研究开发应用、快速原型设计和低至中等产量生产的标准设备。MLA300以高速和高吞吐量实现2µm的最小线宽和间距,并具有全自动化的芯片自动装取装置,以及针对生产环境设计的软件,提供简单的自动化工作流程;同时,还具备无掩膜光刻机的所有优点,省去采购掩膜版及处理、清洁和存储所需的费用和开销。

无掩膜对位技术使用空间光调制器,如同动态的掩膜版。它提供具挑战性的灵活性,允许每个芯片进行图案校正(例如,对应变形或工艺变化做出反应),并采用实时自动对焦跟踪基板的弯曲或波纹。曝光模式可选择不同波长(375 nm或405 nm)和分辨率选项,多个曝光模块可以安装在MLA300中,实现更高的通量产速。

MLA300在生产传感器、微机电装置、离散电子组件、集成电路、集成电路(ASIC)、功率电子、OLED显示器以及先进封装应用等领域表现优异。

The MLA300 is the industrial production version of the Maskless Aligner, which already has become a standard in Research & Development applications, rapid prototyping, and low-to mid-volume production. The MLA300 achieves high resolutions of 2 µm lines and spaces at the high throughput and high availability expected in production. It features full automation with wafer robot and load ports, and software specifically designed for the production environment to offer a simplified automated workflow.

At the same time, it features all the advantages associated with maskless lithography: Overheads and expense associated with the procurement of masks, and their handling, cleaning, and storage are eliminated.

The Maskless Aligner technology uses a Spatial Light Modulator which essentially acts like a dynamic mask. It offers the flexibility to structure the most challenging substrates, allowing per-die pattern corrections (e.g. to react to distortions or process variations), and employs a real-time autofocus to follow substrate warp or corrugations. The fully integrated exposure modules are available for a selection of wavelengths (375 nm or 405 nm) and with different resolution options. Multiple exposure modules can be mounted in the MLA300 for even higher throughput.

The MLA300 excels in application areas such as the production of sensors, sensor ICs, MEMS devices, discrete electronic components, analog and digital ICs, ASICs, Power electronics, OLED displays, as well as for advanced packaging applications.

MLA无掩膜光刻机重点功能

PRODUCT HIGHLIGHTS

Substrate size: from 5 mm to 5” Minimum feature size: down to 0.6 µm Maximum write speed (at 4 µm resolution): 200 mm²/min Real-time autofocus system Frontside alignment Easy-to-use operating software 2 available optical setups Choice of exposure Module: Raster and/or Vector scan Variable resolution Draw Mode Wavelengths (Raster Scan): 390 nm or 365 nm exposure wavelength Wavelengths (Vector Scan): 405 nm and/or 375 nm Overview camera for alignment and inspection

多用户实验室的理想之选
用户培训仅需不到1小时
快速准确的对准
250纳米正面/背面对准及误差补偿
卓越的工艺灵活性
双激光并行配置,全面覆盖各类光刻胶
多多种曝光模式可选,兼顾效率与精度
配备专用真空吸盘,轻松应对小型基板、薄膜及翘曲样品
低成本与易维护性
激光寿命长达 10-20 年
直写光刻技术
零掩膜版成本,免维护,无安全风险
灰度光刻模式
轻松实现2.5D结构
曝光质量
边缘粗糙度60纳米、关键尺寸(CD)均匀性100纳米、自动聚焦补偿翘曲/波纹基板
最小特征尺寸
提供两种不同的写入模式,最小特征尺寸可达 0.45 μm
方便用户
专用软件与标准化工作流程,操作直观高效
曝光速度
405纳米激光波长下,150毫米硅片全程<16分钟

Maximum exposure area: 300 mm x 300 mm Minimum feature size: 1.5 μm Minimum lines and spaces: 2 µm Maximum write speed: 5000 mm2/min (at 405 nm, with one module) Real-time autofocus Overview camera for fast alignment and inspection Front- and backside alignment Temperature-controlled environmental chamber Exposure wavelengths: 405 nm and / or 375 nm

MLA无掩膜激光直写应用功能

AVAILABLE MODULES

MEMS Micro-Optics Semiconductor Sensors Actuators MOEMS Material Research Nano-Tubes Graphene

Exposure Wavelength
Diode laser sources at 375 nm and/or 405 nm can be mounted together and used interchangeably to expose different photoresists
Exchangeable Chucks
Additional vacuum chucks for challenging samples like small substrates, foils, or warped substrates
Customized vacuum chuck layout upon request
Draw Mode
Import and overlay of BMP files on top of the real-time microscope image – as in a virtual mask aligner; simple lines and shapes can be drawn into the real-time camera image for immediate exposure
Autofocus
Air-gauge or optical autofocus for perfect exposure of small samples (less than 10 mm)
Variable Substrate Sizes
From 3 mm to 6”; up to 8” upon request
Advanced Field Alignment
Automatic field-by-field alignment on individual dies on the wafer for superior alignment accuracy

MEMS Micro-Optics Semiconductor Sensors Actuators MOEMS Material Research Nano-Tubes Graphene